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先进制程的挑战在曝光与平坦化技术
时间:2010年09月09日 【打印】 【关闭】


芯片走向极小化、多任务、高效能且低价的态势已不可改变。在后摩尔定律时代,芯片走向20nm,甚至14nm和10nm制程技术,曝光技术将是驱动半导体业成长的关键,而其他如制程、设备、和材料也将扮演着相当关键角色。台积电(2330)资深处长林本坚表示,曝光技术将成为先进制程未来发展的挑战,如何能透过技术提升,缩减20奈米的曝光成本,将成为当前重要课题,供应链合作创新也将成共识。


  此外,平坦化技术(CMP)则是32nm以下制程的关键,新的晶体管结构和像是TSV等新的封装技术都必须倚赖先进的平坦化技术才能达成,Entegris新事业发展副总裁 ChristopherWargo表示,越先进制程所需的平坦化技术更高,因此CMP不容忽视。ChristopherWargo认为,不只有抛光垫片、研磨液重要,其他在制程中需要的所有的耗材,都对于平坦化技术有很大的影响。



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